买卖IC网 >> 产品目录 >> NE6500379A-T1 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE6500379A-T1

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
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制造商 CEL
技术类型 MESFET
频率 1.9 GHz
增益 10 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 7 V
漏极连续电流 4.5 A
最大工作温度 + 150 C
功率耗散 21 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 79A
相关资料
属性
链接
代理商 NE6500379A-T1
NE6500496
NE650103M
NE650103M-A
NE6501077
NE650R479A-T1
供应商
公司名
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